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V20120C-E3/4W
TO-220-3
Schottky Diodes & Rectifiers 20 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
27 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
2
包装
Tube
系列
TMBS®
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-40°C
应用
EFFICIENCY
附加功能
FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT APPLICABLE
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT APPLICABLE
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
Not Qualified
元素配置
Common Cathode
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Schottky
反向泄漏电流@ Vr
700μA @ 120V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
900mV @ 10A
正向电流
20A
最大反向漏电电流
150μA
工作温度 - 结点
-40°C~150°C
最大浪涌电流
110A
正向电压
900mV
最大反向电压(DC)
120V
平均整流电流
10A
相位的数量
1
反向恢复时间
20 ns
峰值反向电流
700μA
最大重复反向电压(Vrrm)
120V
峰值非恢复性浪涌电流
120A
二极管配置
1 Pair Common Cathode
最大正向浪涌电流(Ifsm)
175A
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseForward VoltageAverage Rectified CurrentMax Reverse Leakage CurrentRoHS StatusHTS CodeDiode Element Material
-
V20120C-E3/4W
Through Hole
TO-220-3
900 mV
10 A
150 μA
ROHS3 Compliant
8541.10.00.80
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3
840 mV
12.5 A
125 μA
ROHS3 Compliant
8541.10.00.80
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3
950 mV
10 A
150 μA
ROHS3 Compliant
8541.10.00.80
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3
940 mV
10 A
150 μA
ROHS3 Compliant
8541.10.00.80
SILICON
-
Through Hole
TO-220-3
950 mV
10 A
150 μA
ROHS3 Compliant
8541.10.00.80
SILICON
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