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US1M-E3/61T
DO-214AC, SMA
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
11 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-214AC, SMA
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
FREE WHEELING DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
电容量
10pF
电压 - 额定直流
1kV
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
1A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
US1M
引脚数量
2
资历状况
Not Qualified
电压
1kV
元素配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
电流
1A
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 1000V
输出电流
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.7V @ 1A
正向电流
1A
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
最大浪涌电流
30A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
1000V
正向电压
1.7V
最大反向电压(DC)
1kV
平均整流电流
1A
反向恢复时间
75 ns
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
1kV
电容@Vr, F
10pF @ 4V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
30A
反向电压
1kV
最大正向浪涌电流(Ifsm)
30A
恢复时间
75 ns
高度
2.09mm
长度
4.5mm
宽度
4.5mm
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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