![SM8S33AHE3/2D](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-sm8s30ahe3ai-6718.jpg)
SM8S33AHE3/2D
DO-218AB
TVS DIODE 33V 53.3V DO218AB
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-218AB
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
36.7V
1
33V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
Automotive, AEC-Q101, PAR®
已出版
2013
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
1
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
应用
Automotive
附加功能
HIGH RELIABILITY, PD-CASE
最大功率耗散
6.6kW
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
SM8S
引脚数量
1
工作电源电压
33V
泄漏电流
10μA
元素配置
Single
功率耗散
6.6kW
电源线保护
No
功率 - 脉冲峰值
6600W 6.6kW
最大反向漏电电流
10μA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
53.3V
箝位电压
53.3V
峰值脉冲电流
124A
最大浪涌电流
124A
峰值脉冲功率
6.6kW
方向
Unidirectional
测试电流
5mA
单向通道
1
反向击穿电压
36.7V
最大击穿电压
40.6V
高度
4.6mm
长度
13.7mm
宽度
8.7mm
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
SM8S33AHE3/2D PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 报废/ EOL :
- Rohs 声明 :