![SM8S30A-E3/2D](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-sm8s30ahe3ai-6718.jpg)
SM8S30A-E3/2D
DO-218AB
TVS DIODE 30V 48.4V DO218AB
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Lead, Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-218AB
引脚数
2
供应商器件包装
DO-218AB
33.3V
1
30V
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
PAR®
已出版
2013
容差
0.1%
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终端
SMD/SMT
温度系数
100 ppm/°C
类型
Zener
电阻
20kOhm
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
组成
Thin Film
应用
General Purpose
最大功率耗散
6.6kW
基本部件号
SM8S
工作电源电压
30V
极性
Unidirectional
通道数量
1
泄漏电流
10μA
元素配置
Single
功率耗散
6.6kW
电源线保护
No
电压 - 击穿
33.3V
功率 - 脉冲峰值
6600W 6.6kW
峰值脉冲电流(10/1000μs)
136A
最大反向漏电电流
10μA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
48.4V
箝位电压
48.4V
电压 - 反向断态(典型值)
30V
峰值脉冲电流
136A
最大浪涌电流
136A
峰值脉冲功率
6.6kW
方向
Unidirectional
测试电流
5mA
单向通道
1
反向击穿电压
33.3V
最大击穿电压
36.8V
ESD保护
Yes
高度
5mm
长度
13.7mm
宽度
8.7mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
SM8S30A-E3/2D PDF数据手册
- 数据表 :
- Rohs 声明 :