S1FLM-GS08
DO-219AB
VISHAY - S1FLM-GS08 - Standard Recovery Diode, Switching, 1 kV, 500 mA, Single, 1.1 V, 1.8 µs, 22 A
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-219AB
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
元素配置
Single
速度
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 1000V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1V @ 1A
正向电流
500mA
工作温度 - 结点
-55°C~150°C
输出电流-最大值
1.5A
电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）
1000V
正向电压
1.1V
最大反向电压（DC）
1kV
平均整流电流
700mA
反向恢复时间
1.8 μs
最大重复反向电压(Vrrm)
1kV
电容@Vr, F
4pF @ 4V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
22A
最大正向浪涌电流（Ifsm）
22A
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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S1FLM-GS08 PDF数据手册
- 数据表 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :