![P6SMB200A-E3/52](https://static.esinoelec.com/200dimg/vishaysemiconductordiodesdivision-p6smb36cae35b-5907.jpg)
P6SMB200A-E3/52
DO-214AA, SMB
600 W 274 Vcl Uni Directional SMT TRANSZORB® TVS Diode - DO-214AA
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
10 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
DO-214AA, SMB
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
190V
1.2kV
1
171V
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
P6SMB, TransZorb®
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
类型
Zener
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
应用
General Purpose
附加功能
EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大功率耗散
600W
端子位置
DUAL
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
P6SMB
引脚数量
2
工作电源电压
171V
泄漏电流
1μA
元素配置
Single
功率耗散
600W
箱体转运
ISOLATED
电源线保护
No
最大反向漏电电流
1μA
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
274V
箝位电压
274V
峰值脉冲电流
2.2A
最大浪涌电流
2.2A
峰值脉冲功率
600W
方向
Unidirectional
测试电流
1mA
单向通道
1
集电极发射器电压(VCEO)
1.2kV
最大集电极电流
258A
反向击穿电压
190V
最大击穿电压
210V
达到SVHC
Unknown
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Breakdown VoltageMax Breakdown VoltageClamping VoltagePeak Pulse PowerPeak Pulse CurrentRoHS StatusNumber of PinsTerminal Form
-
P6SMB200A-E3/52
190 V
210 V
274 V
600 W
2.2 A
ROHS3 Compliant
2
C BEND
-
192.5 V
192.5 V
243 V
600 W
2.5 A
ROHS3 Compliant
2
C BEND
-
167 V
-
243 V
600 W
2.5 A
ROHS3 Compliant
2
C BEND
-
205 V
-
259 V
600 W
2.3 A
ROHS3 Compliant
2
C BEND
P6SMB200A-E3/52 PDF数据手册
- 数据表 : P6SMB Series P6SMB200A-E3-52-Vishay-datasheet-24969148.pdf P6SMB200A-E3-52-Vishay-datasheet-5317702.pdf P6SMB200A-E3-52-Vishay-datasheet-62318418.pdf 52-Vishay-datasheet-8373444.pdf P6SMB200A-E3-52-Vishay-datasheet-49916473.pdf 52-Vishay-datasheet-11549087.pdf P6SMB200A-E3-52-Vishay-Siliconix-datasheet-62309450.pdf
- 其他相关文件 :
- PCN 组装/原产地 :
- Rohs 声明 :