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FESB16DT-E3/81
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
DIODE GEN PURP 200V 16A TO263AB
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
1
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
应用
EFFICIENCY
附加功能
FREE WHEELING DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
基本部件号
FESB16D
引脚数量
3
电压
200V
元素配置
Common Cathode
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
电流
15A
二极管类型
Standard
反向泄漏电流@ Vr
10μA @ 200V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
975mV @ 16A
正向电流
16A
工作温度 - 结点
-65°C~150°C
最大浪涌电流
250A
正向电压
975mV
最大反向电压(DC)
200V
平均整流电流
16A
相位的数量
1
反向恢复时间
35 ns
峰值反向电流
10μA
最大重复反向电压(Vrrm)
200V
电容@Vr, F
175pF @ 4V 1MHz
峰值非恢复性浪涌电流
250A
反向电压
200V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
250A
恢复时间
35 ns
高度
4.83mm
长度
10.45mm
宽度
10.54mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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8541.10.00.80
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