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SQJ464EP-T1_GE3

型号:

SQJ464EP-T1_GE3

封装:

-

描述:

Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Yes

  • Active

  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

  • 32 A

  • 1

  • PLASTIC/EPOXY

  • RECTANGULAR

  • SMALL OUTLINE

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 参考标准

    AEC-Q101

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G4

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.017 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    130 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    31 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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