
SQJ464EP-T1_GE3
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Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Yes
Active
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
32 A
1
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.017 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
130 A
DS 击穿电压-最小值
60 V
雪崩能量等级(Eas)
31 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR