
SM8S16AHE3_A/I
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Trans Voltage Suppressor Diode, 5200W, 16V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-218AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-1
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
8 Weeks
表面安装
YES
二极管元件材料
SILICON
终端数量
1
外壳材料
1
Yes
Active
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Date Of Intro
2016-09-25
175 °C
-55 °C
PLASTIC/EPOXY
RECTANGULAR
SMALL OUTLINE
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY, PD-CASE
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
SINGLE
终端形式
C BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
参考标准
AEC-Q101
JESD-30代码
R-PSSO-C1
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
箱体转运
ANODE
Rep Pk反向电压-最大值
16 V
JEDEC-95代码
DO-218AB
最大非代表峰值转速功率Dis
5200 W
击穿电压-最小值
17.8 V
输出范围
8 W
击穿电压-最大值
19.7 V
饱和电流
1
SM8S16AHE3_A/I PDF数据手册
- 数据表 :