工厂交货时间

4 Weeks

表面安装

NO

越来越多的功能

THROUGH HOLE MOUNT

形状

SQUARE

半导体材料

Silicon

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

200A

Case

SEMITRANS3

Electrical mounting

FASTON connectors,

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

400A

Mechanical mounting

screw

Yes

Active

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

100 °C

-40 °C

JESD-609代码

e4

端子表面处理

SILVER

附加功能

HIGH SENSITIVITY, SIDE VIEW

功能数量

1

Reach合规守则

compliant

配置

SINGLE

光电子器件类型

PIN PHOTODIODE

拓扑

IGBT half-bridge

大小

6.4 mm

反向电压-最大值

32 V

峰值波长

900 nm

暗电流（最大）

30 nA

第二个连接器加载的位置数

for UPS,

红外线范围

YES

响应时间-最大

5e-8 s

轻型电流-Nom

0.05 mA

反向击穿电压-最小值

60 V