
VS-C08ET07T-M3
TO-220-2
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-2
供应商器件包装
TO-220AC
厂商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tube
Active
C08ET07
2L TO-220AC
Schottky Diode
650 V
45 uA
54 W
+ 175 C
- 55 C
1000
Through Hole
650 V
Vishay
Vishay Semiconductors
8 A
Details
57 A
系列
-
包装
Tube
类型
PIN Schottky Diode
子类别
Diodes & Rectifiers
技术
SiC
引脚数量
3
配置
Single
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
Silicon Carbide Schottky
反向泄漏电流@ Vr
45 μA @ 650 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 8 A
工作温度 - 结点
-55°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
650 V
平均整流电流(Io)
8A
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers
工作温度范围
- 55 C to + 175 C
电容@Vr, F
355pF @ 1V, 1MHz
二极管配置
Single
产品
Schottky Silicon Carbide PIN Diodes
Vf-正向电压
1.8 V
产品类别
Schottky Diodes & Rectifiers