
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
表面安装
NO
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Compliant
O-XALF-W2
LONG FORM
UNSPECIFIED
24 V
175 °C
BZT03C24
1.3 W
ROUND
Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
1
Active
GALAXY SEMI-CONDUCTOR CO LTD
5.55
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
Voltage Reference Diodes
最大功率耗散
3.25 W
技术
ZENER
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
O-XALF-W2
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
阻抗
15 Ω
元素配置
Single
二极管类型
ZENER DIODE
箱体转运
ISOLATED
最大反向漏电电流
1 µA
测试电流
25 mA
齐纳电压
24 V
最大电压允差
5.79%
JEDEC-95代码
DO-15
工作测试电流
25 mA
动态阻抗-最大值
15 Ω
宽度
3.6 mm
高度
3.6 mm
长度
4 mm