BAV21W-V-GS08
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BAV21W-V-GS08 pdf数据手册 和 Diodes - Rectifiers - Single 产品详情来自 Vishay 库存可在深圳市佳达源电子有限公司
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
表面安装
YES
引脚数
2
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Compliant
R-PDSO-G2
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
40
150 °C
BAV21W-V-GS08
0.41 W
RECTANGULAR
Vishay Semiconductors
1
Obsolete
VISHAY SEMICONDUCTORS
1 V
5.34
JESD-609代码
e3
无铅代码
Yes
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.10.00.70
子类别
Rectifier Diodes
最大功率耗散
410 mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-G2
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
元素配置
Single
二极管类型
RECTIFIER DIODE
功率耗散
410 mW
正向电流
250 mA
最大浪涌电流
1 A
输出电流-最大值
0.2 A
正向电压
1.25 V
反向恢复时间
50 ns
峰值反向电流
100 nA
最大重复反向电压(Vrrm)
250 V
Rep Pk反向电压-最大值
250 V
峰值非恢复性浪涌电流
1 A
最大非代表Pk前进电流
1 A
恢复时间
50 ns
反向恢复时间-最大值
0.05 µs
宽度
1.7018 mm
高度
1.3462 mm
长度
2.8448 mm
无铅
Lead Free