
TRS6E65H,S1Q
TO-220-2
G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-2
供应商器件包装
TO-220-2L
厂商
Toshiba Semiconductor and Storage
包装
Tube
零件状态
Active
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
反向泄漏电流@ Vr
70 µA @ 650 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.35 V @ 6 A
工作温度 - 结点
175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
650 V
平均整流电流(Io)
6A
电容@Vr, F
392pF @ 1V, 1MHz
反向恢复时间(trr)
0 ns
TRS6E65H,S1Q PDF数据手册
- 数据表 :