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TRS6E65H,S1Q

型号:

TRS6E65H,S1Q

封装:

TO-220-2

描述:

G3 SIC-SBD 650V 6A TO-220-2L

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    TO-220-2

  • 供应商器件包装

    TO-220-2L

  • 厂商

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Active

  • 速度

    No Recovery Time > 500mA (Io)

  • 反向泄漏电流@ Vr

    70 µA @ 650 V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.35 V @ 6 A

  • 工作温度 - 结点

    175°C

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    650 V

  • 平均整流电流(Io)

    6A

  • 电容@Vr, F

    392pF @ 1V, 1MHz

  • 反向恢复时间(trr)

    0 ns

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