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SSM6N7002BFU,LF

型号:

SSM6N7002BFU,LF

封装:

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

数据表:

SSM6N7002BFU

描述:

MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 2

  • 操作温度

    150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2009

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • Reach合规守则

    unknown

  • 基本部件号

    SSM6N7002

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G6

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    150mW

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    2.1 Ω @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3.1V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    17pF @ 25V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • 连续放电电流(ID)

    200mA

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.2A

  • 漏源击穿电压

    60V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

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