![SSM6N7002BFU,LF](https://static.esinoelec.com/200dimg/toshibasemiconductorandstorage-df6a68fulf-9467.jpg)
SSM6N7002BFU,LF
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
晶体管元件材料
SILICON
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
300mW
终端形式
GULL WING
Reach合规守则
unknown
基本部件号
SSM6N7002
JESD-30代码
R-PDSO-G6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
150mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.1 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
17pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)
60V
连续放电电流(ID)
200mA
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.2A
漏源击穿电压
60V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
RoHS Compliant
SSM6N7002BFU,LF PDF数据手册
- 数据表 :