规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
MG25J1BS11
Toshiba
Non-Compliant
FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3
FLANGE MOUNT
UNSPECIFIED
400 ns
1000 ns
150 °C
No
RECTANGULAR
1
Obsolete
TOSHIBA CORP
600 ns
8.77
附加功能
HIGH SPEED
子类别
Insulated Gate BIP Transistors
端子位置
UPPER
终端形式
UNSPECIFIED
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XUFM-X3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
MOTOR CONTROL
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大耗散功率(Abs)
150 W
集电极电流-最大值(IC)
25 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.7 V
栅极-发射极Thr电压-最大值
6 V
环境耗散-最大值
125 W
最大下降时间 (tf)
1000 ns