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V62/05623-01XE

型号:

V62/05623-01XE

封装:

-

描述:

Enhanced Product Dual 2-Input Positive-Nand Gate 8-SM8 -55 to 115

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    8

  • Texas INC

  • 5.26

  • SOIC

  • 5.3 ns

  • Active

  • Texas

  • RECTANGULAR

  • LSSOP

  • 1.8 V

  • V62/05623-01XE

  • Yes

  • 115 °C

  • NOT SPECIFIED

  • -55 °C

  • SSOP8,.16

  • PLASTIC/EPOXY

  • 50 pF

  • 1

  • SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH

  • LSSOP, SSOP8,.16

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    Yes

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • HTS代码

    8542.39.00.01

  • 子类别

    Gates

  • 包装方式

    TR

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    2

  • 端子间距

    0.65 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    Not Qualified

  • Texas

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    5.5 V

  • 电源

    3.3 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.65 V

  • 家人

    LVC/LCX/Z

  • 输入数量

    2

  • 座位高度-最大

    1.3 mm

  • 逻辑IC类型

    NAND GATE

  • 最大 I(ol)

    0.032 A

  • 传播延迟(tpd)

    8.9 ns

  • 施密特触发器

    NO

  • 电源电流-最大值(ICC)

    0.01 mA

  • 长度

    2.95 mm

  • 宽度

    2.8 mm

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