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UCC27425QDRQ1

型号:

UCC27425QDRQ1

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

描述:

IC MOSFET DVR DUAL 4A HS 8-SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    8

  • Low-Side

  • 1V 2V

  • Automotive grade

  • 操作温度

    -40°C~125°C TA

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    Automotive, AEC-Q100

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

  • 最大功率耗散

    650mW

  • 电压 - 供电

    4V~15V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    2

  • 电源电压

    14V

  • 基本部件号

    UCC27425

  • 引脚数量

    8

  • 输出的数量

    2

  • 最大输出电流

    4A

  • 电源

    4.5/15V

  • 功率耗散

    650mW

  • 输出电流

    4A

  • 最大电源电流

    1.6mA

  • 传播延迟

    150 ns

  • 输入类型

    Inverting, Non-Inverting

  • 接通延迟时间

    150 ns

  • 输出特性

    TOTEM-POLE

  • 上升时间

    40ns

  • 下降时间(典型值)

    40 ns

  • 输出极性

    TRUE AND INVERTED

  • 上升/下降时间(Typ)

    20ns 15ns

  • 接口IC类型

    BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER

  • 信道型

    Independent

  • 接通时间

    0.07 µs

  • 输出峰值电流限制-名

    4A

  • 闸门类型

    N-Channel, P-Channel MOSFET

  • 峰值输出电流(源极,漏极)

    4A 4A

  • 高边驱动器

    YES

  • 关断时间

    0.05 µs

  • 高度

    1.75mm

  • 长度

    4.9mm

  • 宽度

    3.91mm

  • 器件厚度

    1.58mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Package / Case
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    Max Output Current
    Output Current
    Factory Lead Time
    Width
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  • UCC27425QDRQ1

    UCC27425QDRQ1

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    8

    2

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