![TPS51200DRCR](https://static.esinoelec.com/200dimg/texasinstruments-tps61050drct-6235.jpg)
TPS51200DRCR
10-VFDFN Exposed Pad
IC CONV DDR DDR2 DDR3 10SON
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
10-VFDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
10
操作温度
-40°C~85°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
10
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
应用
Converter, DDR
额定功率
790mW
最大功率耗散
1.92W
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
3.3V
端子间距
0.5mm
基本部件号
TPS51200
引脚数量
10
输出的数量
1
输出电压
3.5V
输出类型
Fixed
最大输出电流
3A
极性
Negative, Positive
电源电压-最小值(Vsup)
2.375V
功率耗散
1.92W
输出电流
3A
静态电流
500μA
准确性
5 %
最小输入电压
2.3V
最大输入电压
3.5V
参考电压
1.8V
接口IC类型
BUS TERMINATOR SUPPORT CIRCUIT
输出电压
1.25V
高度
1mm
长度
3mm
宽度
3mm
器件厚度
900μm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of OutputsOutput CurrentMax Output CurrentMin Input VoltageMax Input VoltageOutput VoltageNominal Output Voltage
-
TPS51200DRCR
10-VFDFN Exposed Pad
10
1
3 A
3 A
2.3 V
3.5 V
3.5 V
1.25 V
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
1
-
100 mA
1.3 V
-
37 V
-
-
10-VFDFN Exposed Pad
10
1
3 A
3 A
2.375 V
5.5 V
-
-
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
1
-
100 mA
13.7 V
-
12 V
12 V
-
10-VFDFN Exposed Pad
10
1
3 A
3 A
2.375 V
5.5 V
1.8 V
-
TPS51200DRCR PDF数据手册
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- 数据表 :