![TLV2375IDR](https://static.esinoelec.com/200dimg/microchiptechnology-micrf009ym-3082.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
16
4
操作温度
-40°C~125°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
16
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
包装方式
TR
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
4
电源电压
5V
端子间距
1.27mm
基本部件号
TLV2375
引脚数量
16
输出类型
Rail-to-Rail
工作电源电压
8V
工作电源电流
750μA
电源电流
3.6mA
功率耗散
1.09W
输出电流
16mA
压摆率
2.1V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
General Purpose
共模拒绝率
50 dB
输入偏正电流
1pA
电压 - 电源,单/双路(±)
2.7V~16V ±1.35V~8V
每个通道的输出电流
16mA
输入失调电压(Vos)
4.5mV
带宽
2.4MHz
统一增益 BW-(标准值)
3000 kHz
电压增益
110dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.00006μA
电源抑制比
70dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
电压 - 输入断态
2mV
低偏压
YES
微功率
NO
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.00006μA
可编程电源
NO
标称增益带宽积
3MHz
最大I/O电压
4.5mV
输入失调电流-最大值(IIO)
0.00006μA
高度
1.75mm
长度
9.9mm
宽度
3.91mm
器件厚度
1.58mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsSlew RateInput Offset Voltage (Vos)Power Supply Rejection Ratio (PSRR)Common Mode Rejection RatioSupply VoltageOperating Supply Current
-
TLV2375IDR
16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
16
2.1V/μs
4.5 mV
70 dB
50 dB
5 V
750 μA
-
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14
2.1V/μs
4.5 mV
70 dB
50 dB
-
750 μA
-
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14
2.1V/μs
4.5 mV
70 dB
50 dB
5 V
750 μA
-
14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
14
2.1V/μs
4.5 mV
70 dB
50 dB
5 V
750 μA
TLV2375IDR PDF数据手册
- PCN 设计/规格 :