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SN74HC20DR

型号:

SN74HC20DR

封装:

14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

描述:

IC GATE NAND 2CH 4-INP 14SOIC

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    6 Weeks

  • 触点镀层

    Gold

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 引脚数

    14

  • 质量

    129.387224mg

  • 1.5V ~ 4.2V

  • 0.5V ~ 1.8V

  • 2

  • 操作温度

    -40°C~85°C

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    74HC

  • JESD-609代码

    e4

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    14

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 包装方式

    TR

  • 电压 - 供电

    2V~6V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 功能数量

    2

  • 电源电压

    5V

  • 基本部件号

    74HC20

  • 引脚数量

    14

  • 输出的数量

    1

  • 工作电源电压

    5V

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    6V

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2V

  • 负载电容

    50pF

  • 输出电流

    25mA

  • 传播延迟

    19 ns

  • 静态电流

    2μA

  • 接通延迟时间

    28 ns

  • 家人

    HC/UH

  • 逻辑功能

    NAND

  • 输入数量

    4

  • 逻辑类型

    NAND Gate

  • 最大传播延迟@V,最大CL

    19ns @ 6V, 50pF

  • 施密特触发器

    NO

  • 高度

    1.75mm

  • 长度

    8.65mm

  • 宽度

    3.91mm

  • 器件厚度

    1.58mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Number of Inputs
    Number of Pins
    Logic Function
    Propagation Delay
    Supply Voltage
    Quiescent Current
  • SN74HC20DR

    SN74HC20DR

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    4

    14

    NAND

    19 ns

    5 V

    2 μA

  • CD74HC20M96

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    4

    14

    NAND

    17 ns

    4.5 V

    2 μA

  • MC74HC20ADG

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    4

    14

    NAND

    15 ns

    4.5 V

    1 μA

  • MC74HC20ADR2G

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    4

    14

    NAND

    15 ns

    4.5 V

    1 μA

  • CD74HC20M

    14-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

    4

    14

    NAND

    17 ns

    4.5 V

    2 μA