![OPA659IDRBT](https://static.esinoelec.com/200dimg/nxpusainc-mml25231ht1-2059.jpg)
OPA659IDRBT
8-VDFN Exposed Pad
IC OPAMP JFET 350MHZ 8SON
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
6 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-VDFN Exposed Pad
表面安装
YES
引脚数
8
质量
24.012046mg
操作温度
-40°C~85°C
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e4
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
2 (1 Year)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
包装方式
TR
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
电源电压
6V
端子间距
0.65mm
基本部件号
OPA659
引脚数量
8
电源
+-3.5/+-6.5V
通道数量
1
工作电源电流
32mA
电源电流
70mA
压摆率
2550V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
J-FET
共模拒绝率
68 dB
输入偏正电流
10pA
电压 - 电源,单/双路(±)
±3.5V~6.5V
每个通道的输出电流
70mA
输入失调电压(Vos)
5mV
带宽
350MHz
负电源电压(Vsup)
-6V
统一增益 BW-(标准值)
650000 kHz
电压增益
58dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.0032μA
电源抑制比
58dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
电源电压限制-最大值
6.5V
结算时间
8 ns
低偏压
YES
微功率
NO
-3db 带宽
650MHz
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.00005μA
可编程电源
NO
双电源电压
6V
最大负电源电压(Vsup)
-6.5V
最大I/O电压
1mV
输入失调电流-最大值(IIO)
0.0000025μA
高度
1mm
长度
3mm
宽度
3mm
器件厚度
880μm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsSlew RateInput Offset Voltage (Vos)Power Supply Rejection Ratio (PSRR)Common Mode Rejection RatioSupply VoltageOperating Supply Current
-
OPA659IDRBT
8-VDFN Exposed Pad
8
2550V/μs
5 mV
58 dB
68 dB
6 V
32 mA
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
2400V/μs
6 mV
72 dB
70 dB
5 V
-
-
8-DIP (0.300, 7.62mm)
8
3500V/μs
5 mV
58 dB
57 dB
5 V
1.3 mA
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
3500V/μs
5 mV
58 dB
57 dB
5 V
1.3 mA
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
3500V/μs
5 mV
58 dB
57 dB
5 V
1.3 mA
OPA659IDRBT PDF数据手册
- 数据表 :