表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

No

Transferred

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

48 A

1

175 °C

PLASTIC/EPOXY

RECTANGULAR

FLANGE MOUNT

400 ns

530 ns

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

HTS代码

8541.29.00.95

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

Not Qualified

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.025 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

144 A

DS 击穿电压-最小值

50 V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

100 W

反馈上限-最大值 (Crss)

400 pF

环境耗散-最大值

100 W