![LM358N](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-micrf022bn-3345.jpg)
LM358N
8-DIP (0.300, 7.62mm)
IC OPAMP GP 2 CIRCUIT 8DIP
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
8
质量
113.398093g
操作温度
0°C~70°C
包装
Tube
JESD-609代码
e0
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
包装方式
RAIL
端子位置
DUAL
功能数量
2
电源电压
5V
基本部件号
LM358
引脚数量
8
工作电源电压
16V
电源
+-1.5/+-15/3/30V
通道数量
2
工作电源电流
1mA
电源电流
500μA
功率耗散
830mW
输出电流
30mA
最大电源电流
1.2mA
压摆率
0.1V/μs
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
General Purpose
共模拒绝率
65 dB
输入偏正电流
45nA
电压 - 电源,单/双路(±)
3V~32V ±1.5V~16V
每个通道的输出电流
40mA
输入失调电压(Vos)
7mV
带宽
1MHz
统一增益 BW-(标准值)
1000 kHz
电压增益
100dB
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.05μA
电源抑制比
65dB
低偏移
NO
频率补偿
YES
电压 - 输入断态
2mV
双电源电压
15V
高度
3.3mm
长度
9.27mm
宽度
6.35mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Lead Free
LM358N PDF数据手册
- 数据表 : LM158/258/358/2904 Datasheet LM358N-Texas-Instruments-datasheet-10635674.pdf LM358N-Texas-Instruments-datasheet-12544396.pdf LM358N-National-Semiconductor-datasheet-6274.pdf LM358N-Texas-Instruments-datasheet-14720497.pdf LM358N-Texas-Instruments-datasheet-20913276.pdf LM358N-National-Semiconductor-datasheet-61034.pdf LM358N-National-Semiconductor-datasheet-108527.pdf LM358N-National-Semiconductor-datasheet-38157627.pdf
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 设计/规格 :