表面安装

NO

终端数量

14

No

Obsolete

NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP

DIP, DIP14,.3

20 MHz

-18 V

125 °C

-55 °C

CERAMIC, GLASS-SEALED

DIP

DIP14,.3

RECTANGULAR

IN-LINE

30 V/us

15 V

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN LEAD

HTS代码

8542.33.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T14

资历状况

Not Qualified

温度等级

MILITARY

放大器类型

BUFFER

座位高度-最大

5.08 mm

负电源电压(Vsup)

-15 V

平均偏置电流-最大值 (IIB)

0.01 μA

电源电压限制-最大值

18 V

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

输入失调电压-最大值

6000 μV

长度

19.43 mm

宽度

7.62 mm