![LM108J-8](https://res.utmel.com/Images/category/Integrated Circuits (ICs).png)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
8
No
Obsolete
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP
DIP, DIP8,.3
100 dB
125 °C
-55 °C
CERAMIC, GLASS-SEALED
DIP
DIP8,.3
RECTANGULAR
IN-LINE
20 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
HTS代码
8542.33.00.01
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-GDIP-T8
资历状况
Not Qualified
温度等级
MILITARY
电源电流-最大值
0.6 mA
建筑学
VOLTAGE-FEEDBACK
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
座位高度-最大
5.08 mm
负电源电压(Vsup)
-20 V
统一增益 BW-(标准值)
1000
平均偏置电流-最大值 (IIB)
0.003 μA
低偏移
NO
频率补偿
NO
电源电压限制-最大值
20 V
最大偏置电流 (IIB) @25C
0.002 μA
输入失调电压-最大值
3000 μV
电压增益 - 最小值
25000
宽度
7.62 mm