底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

8-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

8

Military grade

操作温度

0°C~70°C

包装

Tube

系列

BI-FET II™

JESD-609代码

e0

无铅代码

no

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

包装方式

RAIL

端子位置

DUAL

功能数量

2

电源电压

20V

基本部件号

LF412

引脚数量

8

工作电源电压

22V

通道数量

2

工作电源电流

3.6mA

电源电流

3.6mA

功率耗散

670mW

输出电流

25mA

压摆率

15V/μs

建筑学

VOLTAGE-FEEDBACK

放大器类型

J-FET

共模拒绝率

80 dB

输入偏正电流

50pA

电压 - 电源，单/双路（±）

10V~44V ±5V~22V

输入失调电压(Vos)

1mV

带宽

4MHz

负电源电压(Vsup)

-20V

统一增益 BW-（标准值）

4000 kHz

电压增益

106.02dB

电源抑制比

80dB

低偏移

NO

频率补偿

YES

电压 - 输入断态

500μV

增益

4 dB

低偏压

YES

双电源电压

9.121518MV

长度

9.59mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

Contains Lead