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JFE2140DR

型号:

JFE2140DR

封装:

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

描述:

DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 供应商器件包装

    8-SOIC

  • Active

  • 厂商

    Texas Instruments

  • 40 V

  • Yes

  • N-Channel

  • + 125 C

  • - 40 C

  • 2500

  • 50 mA

  • SMD/SMT

  • 24 mS

  • Texas Instruments

  • Texas Instruments

  • Details

  • - 40 V

  • - 1.15 V

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 包装

    Reel

  • 子类别

    Transistors

  • 技术

    Si

  • 配置

    Dual

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    13pF @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    40 V

  • 产品类别

    JFETs

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    40 V

  • 最大漏极电流(Id)

    50 mA

  • 产品类别

    JFET

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