2N3495
-
Trans GP BJT PNP 120V 100mA 3-Pin TO-39 Box - Boxed Product (Development Kits) (Alt: 2N3495)
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
TO-39, 3 PIN
CYLINDRICAL
METAL
-65 °C
NOT SPECIFIED
200 °C
No
150 MHz
2N3495
300 ns
ROUND
Central Semiconductor Corp
1
Active
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
1000000 ns
5.38
TO-39
JESD-609代码
e0
无铅代码
No
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
子类别
Other Transistors
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
Not Qualified
配置
SINGLE
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
JEDEC-95代码
TO-39
最大耗散功率(Abs)
3 W
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益（hFE）
40
集电极-发射器电压-最大值
120 V
VCEsat-最大值
0.35 V
集电极-基极电容-最大值
6 pF
环境耗散-最大值
0.6 W