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VNS3NV04PTR-E
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 weeks ago)
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OMNIFET II™, VIPower™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
120mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
最大功率耗散
8.3W
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
功能数量
1
电源电压
5V
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
VNN3N
引脚数量
8
输出的数量
1
输出类型
N-Channel
最大输出电流
5A
界面
On/Off
电源电流
100μA
输出配置
Low Side
功率耗散
8.3W
输出电流
3.5A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
Not Required
输入类型
Non-Inverting
开关类型
General Purpose
每个通道的输出电流
3.5A
比率-输入:输出
1:1
电压-负荷
36V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
输出峰值电流限制-名
5A
Rds On(Typ)
120m Ω (Max)
内置保护器
TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
长度
4.9mm
宽度
3.9mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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VNS3NV04PTR-E
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1
5 A
3.5 A
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