![VND1NV04TR-E](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-flc10200b-3743.jpg)
VND1NV04TR-E
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IC PWR MOSFET 40V 1.7A DPAK
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
1 μs
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
OMNIFET II™, VIPower™
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
250mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最大功率耗散
35W
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
2.25mm
基本部件号
VND1N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
输出类型
N-Channel
最大输出电流
1.7A
电压
40V
界面
On/Off
元素配置
Single
电源电流
100μA
电流
1.7A
输出配置
Low Side
功率耗散
35W
输出电流
1.7A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
Not Required
最大电源电流
100μA
输入类型
Non-Inverting
接通延迟时间
200 ns
开关类型
General Purpose
上升时间
170ns
漏源电压 (Vdss)
40V
下降时间(典型值)
200 ns
连续放电电流(ID)
500mA
阈值电压
2.5V
比率-输入:输出
1:1
电压-负荷
36V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
漏源击穿电压
40V
驱动器数量
1
输出峰值电流限制-名
1.7A
Rds On(Typ)
250m Ω (Max)
漏源电阻
250mOhm
关断时间
5.5 μs
内置保护器
TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
高度
2.4mm
长度
6.6mm
宽度
6.2mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageMax Power DissipationPower DissipationRoHS Status
-
VND1NV04TR-E
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40 V
500 mA
2.5 V
35 W
35 W
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
28 A
2.1 V
-
30 W
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
40 A
-
-
42 W
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
-
145 A
2.5 V
-
153 W
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
40V
-6.7 A
-1.6 V
-
42 W
ROHS3 Compliant
VND1NV04TR-E PDF数据手册
- 数据表 :