![VND14NV04](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-flc10200b-3743.jpg)
VND14NV04
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
质量
329.988449mg
操作温度
-40°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
OMNIFET II™, VIPower™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
35mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
40V
最大功率耗散
74W
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
2.25mm
额定电流
12A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
VND14
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
输出的数量
1
输出类型
N-Channel
最大输出电流
12A
界面
On/Off
电源电流
100μA
输出配置
Low Side
功率耗散
74W
输出电流
12A
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)
Not Required
最大电源电流
100μA
输入类型
Non-Inverting
开关类型
General Purpose
连续放电电流(ID)
12A
比率-输入:输出
1:1
电压-负荷
36V Max
故障保护
Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Over Voltage
漏源击穿电压
40V
接通时间
4.5 µs
输出峰值电流限制-名
18A
Rds On(Typ)
35m Ω (Max)
漏源电阻
35mOhm
关断时间
25 µs
内置保护器
TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
长度
6.5mm
辐射硬化
No
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
无铅
Contains Lead
VND14NV04 PDF数据手册
- 数据表 :