![STY100NM60N](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-stps80l60cy-0712.jpg)
STY100NM60N
TO-247-3
MOSFET N-channel 600 V, 0.025 Ohm typ., 98 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in Max247 package
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
247
98A Tc
10V
1
625W Tc
372 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STY100
元素配置
Single
功率耗散
625W
接通延迟时间
45 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
29m Ω @ 49A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9600pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
330nC @ 10V
上升时间
52ns
下降时间(典型值)
81 ns
连续放电电流(ID)
98A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
高度
20.3mm
长度
15.9mm
宽度
5.3mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
-
STY100NM60N
Through Hole
TO-247-3
98 A
98A (Tc)
25 V
625 W
625W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
76 A
76A (Tc)
20 V
595 W
595W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
110 A
110A (Tc)
25 V
625 W
625W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
84 A
84A (Tc)
25 V
450 W
450W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-247-3
73 A
73A (Tc)
20 V
520 W
520W (Tc)
10V
STY100NM60N PDF数据手册
- 数据表 :