STW75NF30
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 300V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
规格参数
- 类型参数全选
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
60A Tc
10V
1
320W Tc
141 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
STripFET™
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
45mOhm
基本部件号
STW75N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
320W
接通延迟时间
115 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
45m Ω @ 30A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5930pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
164nC @ 10V
上升时间
87ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
101 ns
连续放电电流(ID)
60A
阈值电压
3V
JEDEC-95代码
TO-247AD
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
300V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
240A
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STW75NF30
Through Hole
TO-247-3
60A (Tc)
60 A
3 V
20 V
320 W
320W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
75A (Tc)
75 A
4 V
20 V
285 W
285W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
75A (Tc)
37 A
3 V
20 V
190 W
190W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
52A (Tc)
26 A
3.75 V
30 V
300 W
300W (Tc)
Through Hole
TO-247-3
40A (Tc)
40 A
3 V
20 V
160 W
160W (Tc)
STW75NF30 PDF数据手册
- 数据表 :