STW70N60M2
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 600V 68A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
38.000013g
晶体管元件材料
SILICON
68A Tc
10V
1
450W Tc
155 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II Plus
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
基本部件号
STW70N
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
450W
接通延迟时间
32 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
40m Ω @ 34A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5200pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
118nC @ 10V
上升时间
17ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
9 ns
连续放电电流(ID)
68A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏极-源极导通最大电阻
0.04Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
272A
DS 击穿电压-最小值
600V
雪崩能量等级（Eas）
9000 mJ
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STW70N60M2
Through Hole
TO-247-3
600V
68 A
68A (Tc)
3 V
25 V
450 W
Through Hole
TO-247-3
-
84 A
84A (Tc)
4 V
25 V
450 W
Through Hole
TO-247-3
-
72.8 A
72.8A (Tc)
3 V
30 V
543 W
Through Hole
TO-247-3
-
76 A
76A (Tc)
2 V
30 V
543 W
Through Hole
TO-247-3
-
69 A
69A (Tc)
-
25 V
450 W
STW70N60M2 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :