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规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
17A Tc
10V
1
125W Tc
71 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
190mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
基本部件号
STW23N
引脚数量
3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
125W
接通延迟时间
6.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
190m Ω @ 8.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1330pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
45nC @ 10V
上升时间
19ns
漏源电压 (Vdss)
500V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
29 ns
连续放电电流(ID)
17A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
68A
DS 击穿电压-最小值
500V
雪崩能量等级(Eas)
254 mJ
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power Dissipation
-
STW23NM50N
Through Hole
TO-247-3
500V
17 A
17A (Tc)
3 V
25 V
125 W
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Through Hole
TO-247-3
-
20 A
20A (Tc)
3 V
25 V
140 W
-
Through Hole
TO-247-3
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22 A
22A (Tc)
3 V
30 V
205 W
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Through Hole
TO-247-3
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21 A
21A (Tc)
3 V
25 V
150 W
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Through Hole
TO-247-3
-
17 A
17A (Tc)
3 V
30 V
125 W
STW23NM50N PDF数据手册
- 数据表 :