
STW12NK80Z
TO-247-3
Transistor MOSFET N-CH 800V 10.5A 3-Pin (3+Tab) TO-247 Tube
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
质量
4.535924g
晶体管元件材料
SILICON
10.5A Tc
10V
1
190W Tc
70 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
SuperMESH™
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
750mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
电压 - 额定直流
800V
额定电流
10.5A
基本部件号
STW12N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
190W
接通延迟时间
30 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
750m Ω @ 5.25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 100μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2620pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
87nC @ 10V
上升时间
18ns
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
20 ns
连续放电电流(ID)
10.5A
阈值电压
3.75V
JEDEC-95代码
TO-247AC
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源击穿电压
800V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
42A
雪崩能量等级(Eas)
400 mJ
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STW12NK80Z
Through Hole
TO-247-3
10.5 A
10.5A (Tc)
3.75 V
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190 W
190W (Tc)
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TO-247-3
9 A
9A (Tc)
3.75 V
30 V
160 W
160W (Tc)
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TO-247-3
13 A
13A (Tc)
3.75 V
30 V
150 W
150W (Tc)
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Through Hole
TO-247-3
10 A
10A (Tc)
3.75 V
30 V
156 W
156W (Tc)
STW12NK80Z PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :