![STS26N3LLH6](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-tsh690idt-2058.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
26A Tc
4.5V 10V
1
2.7W Ta
75 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
8
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.4mOhm
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
基本部件号
STS26
引脚数量
8
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.7W
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.4m Ω @ 13A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4040pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 4.5V
上升时间
18ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
46 ns
连续放电电流(ID)
26A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级(Eas)
525 mJ
栅源电压
1 V
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STS26N3LLH6
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
26 A
26A (Tc)
1 V
20 V
2.7 W
2.7W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20.5 A
30.5A (Tc)
1.2 V
20 V
3 W
3W (Ta), 6.5W (Tc)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
20 A
20A (Ta)
2.32 V
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
-
Surface Mount
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
21 A
21A (Ta)
-
20 V
2.5 W
2.5W (Ta)
STS26N3LLH6 PDF数据手册
- 数据表 :