
STPSC10H065G2-TR
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装
D2PAK
厂商
STMicroelectronics
Active
1
D2PAK
9 uA
+ 175 C
- 40 C
SMD/SMT
650 V
10 A
470 A
技术
SiC
引脚数量
3
配置
Single
速度
No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型
Silicon Carbide Schottky
反向泄漏电流@ Vr
100 μA @ 650 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.75 V @ 10 A
工作温度 - 结点
-40°C ~ 175°C
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
650 V
平均整流电流(Io)
10A
电容@Vr, F
480pF @ 0V, 1MHz
二极管配置
Single
重复峰值反向电压
650
反向恢复时间(trr)
0 ns
产品
Schottky Silicon Carbide Diodes
Vf-正向电压
1.56 V