
STP18N60M2
TO-220-3
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13A MOSFET in TO-220
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
13A Tc
10V
1
110W Tc
47 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II Plus
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
280mOhm
基本部件号
STP18N
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
12 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
280m Ω @ 6.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
791pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
21.5nC @ 10V
上升时间
9ns
漏源电压 (Vdss)
600V
Vgs(最大值)
±25V
下降时间(典型值)
10.6 ns
连续放电电流(ID)
13A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
25V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
52A
DS 击穿电压-最小值
600V
高度
15.75mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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-
STP18N60M2
Through Hole
TO-220-3
600V
13 A
13A (Tc)
25 V
110W (Tc)
10V
-
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
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14A (Tc)
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13.8A (Tc)
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TO-220-3 Full Pack
600V
13.8 A
13.8A (Tc)
20 V
32W (Tc)
10V
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- 数据表 :
- 仿真模型 :