生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3

晶体管元件材料

SILICON

80A Tc

10V

1

300W Tc

125 ns

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

STripFET™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

8mOhm

端子表面处理

Tin (Sn)

基本部件号

STP141

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

300W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

30 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 40A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5300pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

142nC @ 10V

上升时间

150ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

45 ns

连续放电电流(ID)

80A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

漏源击穿电压

55V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

320A

雪崩能量等级（Eas）

1300 mJ

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free