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STN3P6F6

型号:

STN3P6F6

封装:

TO-261-4, TO-261AA

数据表:

STN3P6F6

描述:

MOSFET P-CH 60V SOT-223

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 工厂交货时间

    20 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    TO-261-4, TO-261AA

  • 引脚数

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 10V

  • 1

  • 2.6W Tc

  • 14 ns

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 系列

    DeepGATE™, STripFET™ VI

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    4

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    130MOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    GULL WING

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • 基本部件号

    STN3P

  • 通道数量

    1

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    2.6W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 接通延迟时间

    6.4 ns

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    160m Ω @ 1.5A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    340pF @ 48V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6.4nC @ 10V

  • 上升时间

    5.3ns

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 下降时间(典型值)

    3.7 ns

  • 连续放电电流(ID)

    -3A

  • 阈值电压

    -4V

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    3A

  • 漏源击穿电压

    -60V

  • 最大结点温度(Tj)

    175°C

  • 高度

    1.9mm

  • 长度

    6.7mm

  • 宽度

    3.7mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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