![STN3P6F6](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-ldl1117s25r-0425.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
10V
1
2.6W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
电阻
130MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
Reach合规守则
not_compliant
基本部件号
STN3P
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
2.6W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
6.4 ns
场效应管类型
P-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
160m Ω @ 1.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
340pF @ 48V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6.4nC @ 10V
上升时间
5.3ns
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
3.7 ns
连续放电电流(ID)
-3A
阈值电压
-4V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3A
漏源击穿电压
-60V
最大结点温度(Tj)
175°C
高度
1.9mm
长度
6.7mm
宽度
3.7mm
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Threshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
-
STN3P6F6
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
60V
-3 A
-4 V
20 V
2.6 W
2.6W (Tc)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
-
2.9 A
3 V
20 V
1.8 W
1.8W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
-
2.8 A
4 V
25 V
2.1 W
2.1W (Tc)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
-
2.8 A
1.5 V
20 V
3 W
3W (Ta)
-
Surface Mount
TO-261-4, TO-261AA
60V
2.7 A
4 V
20 V
2 W
2W (Ta), 3.1W (Tc)
STN3P6F6 PDF数据手册
- 数据表 :