![STL150N3LLH6](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-lcp154djf-0199.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
晶体管元件材料
SILICON
150A Tc
4.5V 10V
1
80W Tc
75 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.4mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
DUAL
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STL150
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-N5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
80W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
17 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.4m Ω @ 16.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4040pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 4.5V
上升时间
18ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
46 ns
连续放电电流(ID)
150A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxRoHS Status
-
STL150N3LLH6
Surface Mount
8-PowerVDFN
150 A
150A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-PowerTDFN
143 A
31.4A (Ta), 143A (Tc)
20 V
-
3.71W (Ta), 77W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
8-TQFN Exposed Pad
32 A
32A (Ta), 169A (Tc)
20 V
3.6 W
3.6W (Ta), 96W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric MX
28 A
28A (Ta), 170A (Tc)
20 V
100 W
2.8W (Ta), 100W (Tc)
ROHS3 Compliant
-
Surface Mount
DirectFET? Isometric MX
170 A
28A (Ta), 170A (Tc)
20 V
100 W
2.8W (Ta), 100W (Tc)
ROHS3 Compliant
STL150N3LLH6 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :