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STL130N8F7

型号:

STL130N8F7

封装:

8-PowerVDFN

数据表:

STL130N8F7

描述:

Trans MOSFET N-CH 80V 130A 8-Pin Power Flat T/R

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-PowerVDFN

  • 引脚数

    8

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 130A Tc

  • 10V

  • 1

  • 135W Tc

  • 操作温度

    -55°C~175°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    DeepGATE™, STripFET™ VII

  • JESD-609代码

    e3

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    5

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 电阻

    3.6mOhm

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - annealed

  • 附加功能

    ULTRA LOW RESISTANCE

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 基本部件号

    STL130

  • JESD-30代码

    R-PDSO-F5

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 通道数量

    2

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率耗散

    5W

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3.6m Ω @ 13A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4.5V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    6340pF @ 40V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    96nC @ 10V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • 连续放电电流(ID)

    123A

  • 栅极至源极电压(Vgs)

    20V

  • 漏源击穿电压

    80V

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    560A

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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