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STH250N55F3-6
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
引脚数
7
晶体管元件材料
SILICON
180A Tc
10V
1
300W Tc
110 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
电阻
2.6MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STH250
引脚数量
7
JESD-30代码
R-PSSO-G6
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.6m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
100nC @ 10V
上升时间
150ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
50 ns
连续放电电流(ID)
180A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
55V
雪崩能量等级(Eas)
1000 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STH250N55F3-6
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TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
160 A
160A (Tc)
20 V
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300W (Tc)
10V
STH250N55F3-6 PDF数据手册
- 数据表 :