
STH240N75F3-2
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-channel 75 V, 2.6 mOhm typ., 180 A STripFET(TM) III Power MOSFET in H2PAK-2 package
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
100 ns
300W Tc
1
10V
180A Tc
系列
STripFET™ III
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
终端形式
GULL WING
基本部件号
STH240
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
300W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
25 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3m Ω @ 90A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
87nC @ 10V
上升时间
70ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
15 ns
连续放电电流(ID)
180A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
3Ohm
漏源击穿电压
75V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
720A
雪崩能量等级(Eas)
600 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
无铅
Lead Free
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-
STH240N75F3-2
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
180 A
180A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
195 A
195A (Tc)
20 V
370 W
370W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
180 A
180A (Tc)
20 V
300 W
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
195 A
195A (Tc)
20 V
-
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
195 A
195A (Tc)
20 V
375 W
375W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
STH240N75F3-2 PDF数据手册
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