
STH180N10F3-2
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 100V 120A H2PAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
12 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
180A Tc
10V
1
315W Tc
99.9 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ III
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
4.5MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STH180
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
315W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
25.6 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.5m Ω @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
6665pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
114.6nC @ 10V
上升时间
97.1ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
6.9 ns
连续放电电流(ID)
180A
阈值电压
2V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
100V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
720A
高度
4.8mm
长度
15.8mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STH180N10F3-2
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
180 A
180A (Tc)
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315W (Tc)
STH180N10F3-2 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :