STF23NM60ND
TO-220-3 Full Pack
STMICROELECTRONICS STF23NM60ND Power MOSFET, N Channel, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
19.5A Tc
10V
1
35W Tc
90 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
FDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
基本部件号
STF23
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
35W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
21 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
180m Ω @ 10A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2050pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
70nC @ 10V
上升时间
45ns
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
40 ns
连续放电电流(ID)
19.5A
阈值电压
4V
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
600V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
78A
雪崩能量等级（Eas）
700 mJ
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
STF23NM60ND
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
19.5 A
19.5A (Tc)
4 V
25 V
35 W
35W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
21 A
21A (Tc)
3 V
25 V
35 W
35W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
22 A
22A (Tc)
3 V
30 V
39 W
39W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
21 A
21A (Tc)
4 V
20 V
-
35W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
21 A
21A (Tc)
4 V
25 V
40 W
40W (Tc)