STF15NM65N
TO-220-3 Full Pack
STMICROELECTRONICS STF15NM65N Power MOSFET, N Channel, 12 A, 650 V, 0.35 ohm, 10 V, 3 V
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-220-3 Full Pack
引脚数
3
供应商器件包装
TO-220FP
12A Tc
10V
1
30W Tc
14 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
380MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
基本部件号
STF15
元素配置
Single
功率耗散
35W
接通延迟时间
55.5 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
380mOhm @ 6A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
983pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33.3nC @ 10V
上升时间
8ns
漏源电压 (Vdss)
650V
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
26 ns
连续放电电流(ID)
12A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
输入电容
983pF
漏源电阻
270mOhm
最大rds
380 mΩ
高度
16.4mm
长度
10.4mm
宽度
4.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
STF15NM65N
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
650V
12 A
12A (Tc)
3 V
380 mΩ
25 V
35 W
30W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
10 A
10A (Tc)
3 V
-
30 V
35 W
35W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
13 A
13A (Tc)
3 V
-
25 V
30 W
30W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
-
12 A
12A (Tc)
3 V
-
25 V
25 W
25W (Tc)
Through Hole
TO-220-3 Full Pack
600V
15 A
15A (Tc)
3 V
-
-
-
31W (Tc)
STF15NM65N PDF数据手册
- 数据表 :