工厂交货时间

16 Weeks

底架

Through Hole

安装类型

Through Hole

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

8A Tc

10V

1

25W Tc

32 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tube

系列

FDmesh™ II

JESD-609代码

e3

零件状态

Active

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

电阻

550MOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

基本部件号

STF10N

引脚数量

3

元素配置

Single

操作模式

ENHANCEMENT MODE

功率耗散

25W

箱体转运

ISOLATED

接通延迟时间

9.2 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

550m Ω @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

540pF @ 50V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19nC @ 10V

上升时间

10ns

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±25V

下降时间（典型值）

9.8 ns

连续放电电流(ID)

8A

阈值电压

4V

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

25V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8A

漏源击穿电压

650V

高度

16.4mm

长度

10.4mm

宽度

4.6mm

达到SVHC

No SVHC

辐射硬化

No

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

Lead Free